TASSAのたまご:表面化学分析に関わる用語解説一覧

ISO/TC201委員会(国際標準化機構/第201専門委員会)において表面化学分析(surface chemical analysis: SCA)に関わる用語の定義がISO18115として2001年に定められ,その後用語の追加も行われました(ISO18115:2001, ISO18115:2001/Amd1:2006, ISO18115:2001/Amd2:2006).国内では,ISO18115を邦訳たJISが発行されました(JIS K0147:2004).しかしながら,用語の定義だけでは,規格を読まれた方が正しい解釈や正しい用語使用ができないのではないかと思われる部分も見受けられます.そこで表面分析研究会(SASJ)標準化活動部会では,これまでSASJの活動の一環として,表面化学分析に関連する用語(ISO:18115:2001, JIS K0147:2004)の中で特に重要と思われる用語について,各用語の解説をSASJの機関紙 Journal of Surface Analysis (JSA) へ掲載してきました.このページでは,それら用語の一覧と,解説が掲載されているJSA記事の情報を提供しています.JSAの記事は自由にダウンロードできますのでご利用ください.

用語には【TASSA-Vocabulary-001t】というような番号を付与しています.最後の“t”でたまご(temporary)を意味させています.最終的に用語集として整理する際には,分野別あるいは五十音順などの規則に従って並べ直す予定であるため,用語番号は変わることになりますのでご了承ください.

今後も用語の解説を増やしていく予定です.もし皆様の中で,ISO18115:2001(あるいはJIS K0147:2004)の中で解説して欲しい用語がありましたら,お気軽にSASJのWeb担当までご連絡ください.

表面化学分析に関わる用語解説(TASSAのたまご)一覧

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001t fractional ionyield 部分イオン収率 Vol.10 No.3 p.272 第1回
JSA Vol.10, No.3
(2003) pp.272-282
002t negativeion yield 負イオン収率 p.272
003t positiveion yield 正イオン収率 p.272
004t usefulion yield 実効イオン収率 p.273
005t glowdischarge mass spectrometry グロー放電質量分析法(GD-MS) p.273
006t glowdischarge optical emission spectrometry グロー放電発光分光法(GD-OES) p.273
007t glowdischarge spectrometry グロー放電分析法 p.274
008t emissionyield 発光収率 p.274
009t massabsorption coefficient, mass attenuation coefficient 質量吸収係数,質量減衰係 p.275
010t Augerelectron spectroscopy (AES) オージェ電子分光法(AES) p.275
011t angle-resolvedAES (ARAES), angle-dependent AES 角度分解(依存)型オージェ電子分光(ARAES) p.276
012t Augerde-excitation オージェ脱励起 p.277
013t attenuationlength, electron attenuation length 減衰長さ,電子の減衰長 p.278
014t photoionizationcross-section, sub-shell photoionization cross-section 光イオン化断面積,副殻光イオン化断面積 p.278
015t craterdepth クレータ深さ p.279
016t depthprofile, vertical profile 深さ方向分布,垂直方向分布 p.279
017t depthprofiling 深さ方向分布測定 p.279
018t alteredlayer 変質層 p.280
019t atomicmixing アトミックミキシング p.280
020t cascademixing カスケードミキシング p.280
021t deadtime 不感時間 p.281
022t extendeddead time 延長不感時間 p.281
023t secondary-ionyield 二次イオン収率 Vol.11 No.1 p.38 第2回
JSA Vol.11, No.1
(2004) pp.38-50
024t defreeof ionization イオン化率,イオン化係数(非推奨) p.38
025t Shirleybackground シャーリーバックグラウンド Vol.11 No.2 p.129 第3回
JSA Vol.11, No.2
(2004) pp.129-159
027t Tougaardbackground ツガードバックグラウンド p.130
028t Auger electron オージェ電子 Vol.11 No.1 p.39 第2回
JSA Vol.11, No.1
(2004) pp.38-50
029t Augerelectron spectrum オージェ電子スペクトル p.39
030t Augerelectron yield オージェ電子収率(利得) p.41
031t Augerneutralization オージェ中和 p.41
032t fluorescence 蛍光 p.41
033t fluorescentyield 蛍光収率 p.42
034t secondary-ionmass spectrometry (SIMS) 二次イオン質量分析法(SIMS) p.42
035t dynamicSIMS ダイナミックSIMS p.43
036t staticSIMS スタティックSIMS p.44
037t relativeelemental sensitivity factor 元素相対感度係数 p.45
038t relativeisotopic sensitivity factor 同位体相対感度係数 p.45
039t matrixeffect マトリックス効果 p.45
040t Augerparameter オージェパラメータ p.45
041t X-rayphotoelectron spectroscopy (XPS) X線光電子分光法(XPS) p.46
042t ultra-violetphotoelectron spectroscopy (UPS) 紫外光電子分光(UPS) p.47
043t Angle-resolvedXPS (ARXPS), Angle-dependent XPS 角度分解XPS(ARXPS),角度依存XPS p.48
044t constantΔE mode, constant analyzerenergy mode, CAE mode, fixed analyzer transmission mode, FAT mode ΔE一定モード,分析エネルギー一定モード,CAEモード,分析器トランスミッション固定モード,FATモード p.49
045t constantΔE/E mode, constant retarding ratio mode, CRR mode, fixed retardation mode,FRR mode ΔE/E一定モード,減速率一定モード,CRRモード,減速率固定モード,FRRモード p.50
046t critical angle 臨界角 Vol.11 No.2 p.132 第3回
JSA Vol.11, No.2
(2004) pp.129-159
047t glancingangle 視射角 p.134
048t depth resolution 深さ分解能 p.135
049t instrumentaldepth resolution 装置起源深さ分解能(AES, SIMS, XPS) p.136
050t detectorefficiencfy 検出器効率 p.136
051t detectionlimit 検出限界 p.140
052t solidangle of analyzer 検出器立体角 p.145
053t electronspectrometer 電子分光器 p.145
054t electronenergy analyser 電子エネルギー分析器 p.146
055t adventitiouscarbon referencing 自然付着炭素エネルギー基準 p.147
056t internalcarbon referencing 内部炭素基準 p.147
057t magicangle マジックアングル p.148
058t asymmetryparameter 非対称パラメータ p.148
059t bindingenergy 束縛エネルギー p.149
060t transportcross-section 輸送断面積 p.150
061t plasmon プラズモン p.150
062t transportmean free path 輸送平均自由行程 p.152
063t surface 表面 p.153
064t surfacecontamination 表面汚染 p.153
065t inelasticbackground 非弾性散乱バックグラウンド Vol.11 No.3 p.230 第4回
JSA Vol.11, No.3
(2004) pp.230-231
066t instrumentalbackground 装置起源バックグラウンド p.230
067t secondaryelectron 二次電子 Vol.11 No.2 p.154 第3回
JSA Vol.11, No.2
(2004) pp.129-159
068t photoelectriceffect 光電効果 p.155
069t Faradaycup ファラデーカップ p.156
070t angleof emission 放出角度 p.157
071t angleof incidence 入射角 p.158
072t angleof scattering 散乱角 p.158
073t take-offangle 脱出角 p.159
074t interface 界面 Vol.13 No.1 p.113 第5回
JSA Vol.13, No.1
(2006) pp.113-133
075t sputterdepth profile, SDP スパッタ深さ方向分布, SDP p.113
076t beamcurrent ビーム電流 p.114
077t energyloss エネルギー損失 p.115
078t X-rayghost line X線ゴースト線 p.116
079t X-rayline width X線幅 p.117
080t Fermienergy/Fermi level フェルミエネルギー/フェルミ準位 p.118
081t Fermilevel referencing フェルミ準位基準 p.120
082t workfunction 仕事関数 p.122
083t valenceband spectra 価電子帯スペクトル p.124
084t chemicalshift 化学シフト p.125
085t shake-off,shake-up シェイク・オフ,シェイク・アップ p.128
086t chargeNeutralisation 帯電中和 p.130
087t X-raymonochromator X線モノクロメータ p.132
088t primaryelectron 一次電子 p.132
089t backscatteredelectron 背面散乱電子 p.133
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