TASSAのたまご：表面化学分析に関わる用語解説一覧

ISO/TC201委員会（国際標準化機構/第201専門委員会）において表面化学分析（surface chemical analysis: SCA）に関わる用語の定義が，2001年にISO18115:2001として定められました．

その後，規格の分割や用語の追加などが行われ，以下の規格が現在発行されています（2023年6月現在）．

  • ISO18115-1:2023, Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 1: General terms and terms used in spectroscopy
  • ISO18115-2:2021, Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 2: Terms used in scanning-probe microscopy
  • ISO 18115-3:2022, Surface chemical analysis — Vocabulary — Part 3: Terms used in optical interface analysis

国内では，ISO18115を邦訳したJISが2004年に発行され（JIS K0147:2004），その後Part1およびPart2を翻訳した以下のJISが2017年に発行されています．

  • JIS K 0147-1:2017　表面化学分析－用語－ 第1部：一般用語及び分光法に関する用語
  • JIS K 0147-2:2017　表面化学分析－用語－ 第2部：走査型プローブ顕微鏡に関する用語

一方で，用語の定義だけでは，正しい解釈や正しい用語の使用が困難と思われる部分も見受けられます．そこで，表面分析研究会（SASJ）標準化活動部会では，これまでSASJの活動の一環として，表面化学分析に関連する用語（ISO:18115-1, JIS K0147-1)の中で特に重要と思われる用語についての解説をSASJの機関紙 であるJournal of Surface Analysis (JSA) に掲載してきました． ここでは，それらの用語の一覧と解説が掲載されているJSA記事の情報を提供しています．JSAの記事は自由にダウンロードできますのでご利用ください

用語には【TASSA-Vocabulary-001t】というような番号を付与しています．最後の“t”でたまご（temporary）を意味させています．最終的に用語集として整理する際には，分野別あるいは五十音順などの規則に従って並べ直す予定であるため，用語番号は変わることになりますのでご了承ください．

今後も用語の解説を増やしていく予定です．もし皆様の中で，ISO18115-1:2023（あるいはJIS K0147-1:2017）の中で解説して欲しい用語がありましたら，お気軽にSASJのWeb担当までご連絡ください．

表面化学分析に関わる用語解説（TASSAのたまご）一覧

用語No 英用語 和用語 巻 号 ページ 記事への
リンク
001t fractional ion yield 部分イオン収率 Vol.10 No.3 p.272 第1回
JSA Vol.10, No.3
(2003) pp.272-282
002t negative ion yield 負イオン収率 p.272
003t positive ion yield 正イオン収率 p.272
004t useful ion yield 実効イオン収率 p.273
005t glow discharge mass spectrometry グロー放電質量分析法（GD-MS） p.273
006t glow discharge optical emission spectrometry グロー放電発光分光法（GD-OES） p.273
007t glow discharge spectrometry グロー放電分析法 p.274
008t emission yield 発光収率 p.274
009t mass absorption coefficient, mass attenuation coefficient 質量吸収係数，質量減衰係 p.275
010t Auger electron spectroscopy (AES) オージェ電子分光法（AES） p.275
011t angle-resolved AES (ARAES), angle-dependent AES 角度分解（依存）型オージェ電子分光（ARAES） p.276
012t Auger de-excitation オージェ脱励起 p.277
013t attenuation length, electron attenuation length 減衰長さ，電子の減衰長 p.278
014t photoionization cross-section, sub-shell photoionization cross-section 光イオン化断面積，副殻光イオン化断面積 p.278
015t crater depth クレータ深さ p.279
016t depth profile, vertical profile 深さ方向分布，垂直方向分布 p.279
017t depth profiling 深さ方向分布測定 p.279
018t altered layer 変質層 p.280
019t atomic mixing アトミックミキシング p.280
020t cascade mixing カスケードミキシング p.280
021t deadtime 不感時間 p.281
022t extended dead time 延長不感時間 p.281
023t secondary-ion yield 二次イオン収率 Vol.11 No.1 p.38 第2回
JSA Vol.11, No.1
(2004) pp.38-50
024t degree of ionization イオン化率，イオン化係数（非推奨） p.38
025t Shirley background シャーリーバックグラウンド Vol.11 No.2 p.129 第3回
JSA Vol.11, No.2
(2004) pp.129-159
027t Tougaard background ツガードバックグラウンド p.130
028t Auger electron オージェ電子 Vol.11 No.1 p.39 第2回
JSA Vol.11, No.1
(2004) pp.38-50
029t Augerelectron spectrum オージェ電子スペクトル p.39
030t Augerelectron yield オージェ電子収率（利得） p.41
031t Auger neutralization オージェ中和 p.41
032t fluorescence 蛍光 p.41
033t fluorescene yield 蛍光収率 p.42
034t secondary-ion mass spectrometry (SIMS) 二次イオン質量分析法（SIMS） p.42
035t dynamic SIMS ダイナミックSIMS p.43
036t static SIMS スタティックSIMS p.44
037t relative elemental sensitivity factor 元素相対感度係数 p.45
038t relative isotopic sensitivity factor 同位体相対感度係数 p.45
039t matrix effect マトリックス効果 p.45
040t Auger parameter オージェパラメータ p.45
041t X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) X線光電子分光法（XPS） p.46
042t ultra-violet photoelectron spectroscopy (UPS) 紫外光電子分光（UPS） p.47
043t angle-resolved XPS (ARXPS), angle-dependent XPS 角度分解XPS（ARXPS），角度依存XPS p.48
044t constant ΔE mode, constant analyzer energy mode, CAE mode, fixed analyzer transmission mode, FAT mode ΔE一定モード，分析エネルギー一定モード，CAEモード，分析器トランスミッション固定モード，FATモード p.49
045t constant ΔE/E mode, constant retarding ratio mode, CRR mode, fixed retardation mode, FRR mode ΔE/E一定モード，減速率一定モード，CRRモード，減速率固定モード，FRRモード p.50
046t critical angle 臨界角 Vol.11 No.2 p.132 第3回
JSA Vol.11, No.2
(2004) pp.129-159
047t glancing angle 視射角 p.134
048t depth resolution 深さ分解能 p.135
049t instrumental depth resolution 装置起源深さ分解能（AES, SIMS, XPS） p.136
050t detector efficiencfy 検出器効率 p.136
051t detection limit 検出限界 p.140
052t solid angle of analyzer 検出器立体角 p.145
053t electron spectrometer 電子分光器 p.145
054t electron energy analyser 電子エネルギー分析器 p.146
055t adventitious carbon referencing 自然付着炭素エネルギー基準 p.147
056t internal carbon referencing 内部炭素基準 p.147
057t magic angle マジックアングル p.148
058t asymmetry parameter 非対称パラメータ p.148
059t binding energy 束縛エネルギー p.149
060t transport cross-section 輸送断面積 p.150
061t plasmon プラズモン p.150
062t transport mean free path 輸送平均自由行程 p.152
063t surface 表面 p.153
064t surface contamination 表面汚染 p.153
065t inelastic background 非弾性散乱バックグラウンド Vol.11 No.3 p.230 第4回
JSA Vol.11, No.3
(2004) pp.230-231
066t instrumental background 装置起源バックグラウンド p.230
067t secondary electron 二次電子 Vol.11 No.2 p.154 第3回
JSA Vol.11, No.2
(2004) pp.129-159
068t photoelectric effect 光電効果 p.155
069t Faraday cup ファラデーカップ p.156
070t angle of emission 放出角度 p.157
071t angleof incidence 入射角 p.158
072t angle of scattering 散乱角 p.158
073t take-off angle 脱出角 p.159
074t interface 界面 Vol.13 No.1 p.113 第5回
JSA Vol.13, No.1
(2006) pp.113-133
075t sputter depth profile, SDP スパッタ深さ方向分布, SDP p.113
076t beam current ビーム電流 p.114
077t energy loss エネルギー損失 p.115
078t X-ray ghost line X線ゴースト線 p.116
079t X-ray line width X線幅 p.117
080t Fermi energy / Fermi level フェルミエネルギー／フェルミ準位 p.118
081t Fermi level referencing フェルミ準位基準 p.120
082t work function 仕事関数 p.122
083t valence band spectra 価電子帯スペクトル p.124
084t chemical shift 化学シフト p.125
085t shake-off, shake-up シェイク・オフ，シェイク・アップ p.128
086t charge neutralisation 帯電中和 p.130
087t X-ray monochromator X線モノクロメータ p.132
088t primary electron 一次電子 p.132
089t backscattered electron 背面散乱電子 p.133
090t matrix-assisted laser desorption/ionization mass spectrometry MALDI-MS マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析法 Vol.26 No.3 p.260 第6回
JSA Vol.26, No.3
(2020) pp.260-268
091t multivariate curve resolution
MCR
DEPRECATED: self-modelling curve resolution (SMCR)
DEPRECATED: self-modelling mixture analysis (SMMA)		 多変量スペクトル分解, MCR
自己モデルスペクトル分解，SMCR
自己モデル混合解析，SMMA		 p.260
092t principal-component analysis PCA 主成分分析，PCA p.261
092t (093tの誤植) spin orbit splitting スピン軌道分裂 p.267
094t X-ray photoelectron spectroscopy, XPS X 線光電子分光法，XPS Vol.27 No.1 p.45 第7回
JSA Vol.27, No.1
(2020) pp.45-48
095t angle lapping 斜め研磨 Vol.31 No.1 p.56 第8回
JSA Vol.31, No.1
(2024) pp.56-58
096t ball cratering ボールクレータ法 p.57
097t radial sectioning 径方向切り出し法 p.58
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